AIMBG120R080M1XTMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - AIMBG120R080M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 168W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 751.4 грн |
| 50+ | 680.16 грн |
| 100+ | 612.3 грн |
| 250+ | 596.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AIMBG120R080M1XTMA1 INFINEON
Description: INFINEON - AIMBG120R080M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 168W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Trench Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції AIMBG120R080M1XTMA1 за ціною від 501.14 грн до 815.9 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AIMBG120R080M1XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - AIMBG120R080M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 168W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AIMBG120R080M1XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET SIC_DISCRETE |
на замовлення 609 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| AIMBG120R080M1XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
AIMBG120R080M1 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| AIMBG120R080M1XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SIC_DISCRETE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| AIMBG120R080M1XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SIC_DISCRETE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V |
товар відсутній |