![AIKW40N65DH5XKSA1 AIKW40N65DH5XKSA1](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3TO24705-40.jpg)
AIKW40N65DH5XKSA1 INFINEON
![2718658.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: INFINEON - AIKW40N65DH5XKSA1 - IGBT, 74 A, 1.66 V, 250 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 437.6 грн |
5+ | 407.63 грн |
10+ | 376.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AIKW40N65DH5XKSA1 INFINEON
Description: IC DISCRETE 650V TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/165ns, Switching Energy: 350µJ (on), 100µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 95 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 74 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 250 W, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AIKW40N65DH5XKSA1 за ціною від 320.5 грн до 660.92 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AIKW40N65DH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
AIKW40N65DH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||
AIKW40N65DH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||
![]() |
AIKW40N65DH5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Turn-on time: 31ns Turn-off time: 164ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
AIKW40N65DH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 19ns/165ns Switching Energy: 350µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 250 W Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
AIKW40N65DH5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Turn-on time: 31ns Turn-off time: 164ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |