AIKW30N60CTXKSA1

AIKW30N60CTXKSA1 Infineon Technologies


Infineon-AIKW30N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382bd177c9f Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 690µJ (on), 770µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 254 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+463.63 грн
10+ 400.43 грн
30+ 378.58 грн
120+ 307.9 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AIKW30N60CTXKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns, Switching Energy: 690µJ (on), 770µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V, Gate Charge: 167 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 187 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AIKW30N60CTXKSA1 за ціною від 213.95 грн до 535.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AIKW30N60CTXKSA1 AIKW30N60CTXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_AIKW30N60CT_DS_v02_01_EN-1730980.pdf IGBTs DISCRETES
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+498.41 грн
10+ 425.57 грн
25+ 349.15 грн
100+ 301.07 грн
240+ 241.13 грн
480+ 225.1 грн
1200+ 213.95 грн
AIKW30N60CTXKSA1 AIKW30N60CTXKSA1 Виробник : INFINEON 2718657.pdf Description: INFINEON - AIKW30N60CTXKSA1 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+535.53 грн
10+ 399.5 грн
100+ 257.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKW30N60CTXKSA1 AIKW30N60CTXKSA1 Виробник : Infineon Technologies 207infineon-aikw30n60ct-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4625c167129015c53.pdf IGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode
товар відсутній
AIKW30N60CTXKSA1 AIKW30N60CTXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES AIKW30N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AIKW30N60CTXKSA1 AIKW30N60CTXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES AIKW30N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній