![AIKB40N65DH5ATMA1 AIKB40N65DH5ATMA1](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2435/D%C2%B2Pak%2CTO-263_418AA-01.jpg)
AIKB40N65DH5ATMA1 Infineon Technologies
![Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IGBT NPT 650V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 181.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AIKB40N65DH5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - AIKB40N65DH5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V, Verlustleistung Pd: 250W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 74A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції AIKB40N65DH5ATMA1 за ціною від 160.83 грн до 403.41 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AIKB40N65DH5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V Verlustleistung Pd: 250W euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 74A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
AIKB40N65DH5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V |
на замовлення 2954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
AIKB40N65DH5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
AIKB40N65DH5ATMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
AIKB40N65DH5ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |