![AIHD10N60RATMA1 AIHD10N60RATMA1](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/EB/7E/00/00/0/59326_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=dfcf574262bb75eac0f44b07d923e45d982f656b)
AIHD10N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
![AIHD10N60R.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AIHD10N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK, Type of transistor: IGBT, Technology: TRENCHSTOP™ RC, Collector-emitter voltage: 600V, Collector current: 10A, Power dissipation: 150W, Case: DPAK, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 30A, Mounting: SMD, Gate charge: 64nC, Kind of package: reel; tape, Turn-on time: 24ns, Turn-off time: 331ns, Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT), кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції AIHD10N60RATMA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
AIHD10N60RATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
||
![]() |
AIHD10N60RATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 150W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 24ns Turn-off time: 331ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) |
товар відсутній |