AFT18H357-24NR6 Freescale Semiconductor
![AFT18H357-24N.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM1230-42
Packaging: Bulk
Package / Case: OM-1230-4L2L
Frequency: 1.81GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 63W
Gain: 17.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-1230-4L2L
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 800 mA
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 10382.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFT18H357-24NR6 Freescale Semiconductor
Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM1230-42, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: OM-1230-4L2L, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1.81GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 63W, Gain: 17.5dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: OM-1230-4L2L, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 800 mA.
Інші пропозиції AFT18H357-24NR6
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
AFT18H357-24NR6 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
товар відсутній |
||
AFT18H357-24NR6 | Виробник : NXP USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: OM-1230-4L2L Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.81GHz Configuration: Dual Power - Output: 63W Gain: 17.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-1230-4L2L Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 800 mA |
товар відсутній |
||
AFT18H357-24NR6 | Виробник : NXP / Freescale |
![]() |
товар відсутній |