AFT09MS007NT1

AFT09MS007NT1 NXP Semiconductors


973908995118500aft09ms007n.pdf Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF MOSFET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+168.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AFT09MS007NT1 NXP Semiconductors

Description: NXP - AFT09MS007NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 114 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 941MHz, Betriebsfrequenz, min.: 136MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: PLD-1.5W, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції AFT09MS007NT1 за ціною від 158.01 грн до 353.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AFT09MS007NT1 AFT09MS007NT1 Виробник : NXP USA Inc. Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PLD-1.5W
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 870MHz
Power - Output: 7.3W
Gain: 15.2dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Part Status: Active
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 7.5 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+173.98 грн
2000+ 159.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AFT09MS007NT1 AFT09MS007NT1 Виробник : NXP Semiconductors 973908995118500aft09ms007n.pdf Trans RF MOSFET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+185.66 грн
Мінімальне замовлення: 2000
AFT09MS007NT1 AFT09MS007NT1 Виробник : NXP 2353638.pdf Description: NXP - AFT09MS007NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 114 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 941MHz
Betriebsfrequenz, min.: 136MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: PLD-1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+214.44 грн
500+ 187.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
AFT09MS007NT1 AFT09MS007NT1 Виробник : NXP Semiconductors 973908995118500aft09ms007n.pdf Trans RF MOSFET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
41+303.72 грн
44+ 279.26 грн
52+ 239.51 грн
100+ 229.98 грн
200+ 205.66 грн
500+ 182.58 грн
Мінімальне замовлення: 41
AFT09MS007NT1 AFT09MS007NT1 Виробник : NXP USA Inc. Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PLD-1.5W
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 870MHz
Power - Output: 7.3W
Gain: 15.2dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: PLD-1.5W
Part Status: Active
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 7.5 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 4367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+329.63 грн
10+ 284.8 грн
25+ 269.25 грн
100+ 218.99 грн
250+ 207.76 грн
500+ 186.42 грн
AFT09MS007NT1 AFT09MS007NT1 Виробник : NXP Semiconductors 973908995118500aft09ms007n.pdf Trans RF MOSFET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+333.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AFT09MS007NT1 AFT09MS007NT1 Виробник : NXP 2353638.pdf Description: NXP - AFT09MS007NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 114 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: 941MHz
Betriebsfrequenz, min.: 136MHz
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: PLD-1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+334.72 грн
10+ 265.09 грн
100+ 214.44 грн
500+ 187.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
AFT09MS007NT1 AFT09MS007NT1 Виробник : NXP Semiconductors AFT09MS007N-3138287.pdf RF MOSFET Transistors LANDMOBILE 7W PLD1.5W
на замовлення 8320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+353.87 грн
10+ 302.58 грн
25+ 248.3 грн
100+ 213.73 грн
250+ 202.45 грн
500+ 186.22 грн
1000+ 158.01 грн
AFT09MS007NT1 AFT09MS007NT1
Код товару: 107764
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
AFT09MS007NT1 AFT09MS007NT1 Виробник : NXP Semiconductors 973908995118500aft09ms007n.pdf Trans RF MOSFET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
товар відсутній
AFT09MS007NT1 AFT09MS007NT1 Виробник : NXP Semiconductors 973908995118500aft09ms007n.pdf Trans RF MOSFET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R
товар відсутній