AFT05MS006NT1 NXP Semiconductors
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 207.06 грн |
| 10+ | 199.87 грн |
| 25+ | 194.07 грн |
| 100+ | 176.53 грн |
| 500+ | 157.37 грн |
| 1000+ | 149.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFT05MS006NT1 NXP Semiconductors
Description: NXP - AFT05MS006NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 128 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: 941MHz, Betriebsfrequenz, min.: 136MHz, euEccn: NLR, Verlustleistung: 128W, Bauform - Transistor: PLD-1.5W, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції AFT05MS006NT1 за ціною від 160.89 грн до 362.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AFT05MS006NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
 Trans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AFT05MS006NT1 | Виробник : NXP |
Description: NXP - AFT05MS006NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 128 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 941MHz Betriebsfrequenz, min.: 136MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 128W Bauform - Transistor: PLD-1.5W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AFT05MS006NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
на замовлення 1730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
AFT05MS006NT1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PLD-1.5W Mounting Type: Surface Mount Frequency: 520MHz Power - Output: 6W Gain: 18.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5W Part Status: Not For New Designs Voltage - Rated: 30 V Voltage - Test: 7.5 V Current - Test: 100 mA |
на замовлення 844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
AFT05MS006NT1 | Виробник : NXP |
Description: NXP - AFT05MS006NT1 - HF-FET-Transistor, 30 VDC, 128 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 941MHz Betriebsfrequenz, min.: 136MHz euEccn: NLR Verlustleistung: 128W Bauform - Transistor: PLD-1.5W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| AFT05MS006NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
RF MOSFET Transistors 136-941 MHz 6 W 7.5V |
на замовлення 1014 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
AFT05MS006NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
AFT05MS006NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans RF FET N-CH 30V 3-Pin PLD-1.5W T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| AFT05MS006NT1 | Виробник : NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 125W; PLD-1.5W; Pout: 6W; SMT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 125W Case: PLD-1.5W Kind of package: reel; tape Frequency: 520MHz Kind of channel: enhanced Output power: 6W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 18.3dB Efficiency: 73% кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
AFT05MS006NT1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 7.5V PLD-1.5W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PLD-1.5W Mounting Type: Surface Mount Frequency: 520MHz Power - Output: 6W Gain: 18.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: PLD-1.5W Part Status: Not For New Designs Voltage - Rated: 30 V Voltage - Test: 7.5 V Current - Test: 100 mA |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| AFT05MS006NT1 | Виробник : NXP |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 125W; PLD-1.5W; Pout: 6W; SMT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 125W Case: PLD-1.5W Kind of package: reel; tape Frequency: 520MHz Kind of channel: enhanced Output power: 6W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 18.3dB Efficiency: 73% |
товар відсутній |