Продукція > ON SEMICONDUCTOR > AFGY100T65SPD
AFGY100T65SPD

AFGY100T65SPD ON Semiconductor

afgy100t65spd-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBTChip N-CH 650V 120A 660W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
450+465.56 грн
Мінімальне замовлення: 450
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AFGY100T65SPD ON Semiconductor

Description: IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 105 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 100A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 36ns/78ns, Switching Energy: 5.1mJ (on), 2.7mJ (off), Test Condition: 400V, 100A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 109 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 660 W.

Інші пропозиції AFGY100T65SPD за ціною від 442.16 грн до 901.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AFGY100T65SPD AFGY100T65SPD Виробник : onsemi AFGY100T65SPD_D-2310014.pdf IGBTs IGBT - 650 V 100 A FS3 for EV traction inverter application IGBT - 650 V 100 A FS3
на замовлення 2206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+889.76 грн
10+ 751.53 грн
25+ 531.15 грн
100+ 506.12 грн
250+ 488.74 грн
450+ 467.19 грн
900+ 442.16 грн
AFGY100T65SPD AFGY100T65SPD Виробник : ONSEMI 3168451.pdf Description: ONSEMI - AFGY100T65SPD - IGBT, 100 A, 1.6 V, 660 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+901.55 грн
5+ 783.79 грн
10+ 665.25 грн
50+ 592.38 грн
100+ 523.42 грн
250+ 492.67 грн
AFGY100T65SPD Виробник : ON Semiconductor afgy100t65spd-d.pdf
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AFGY100T65SPD AFGY100T65SPD Виробник : onsemi afgy100t65spd-d.pdf Description: IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 105 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/78ns
Switching Energy: 5.1mJ (on), 2.7mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 660 W
товар відсутній