AFGHL75T65SQDC ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - AFGHL75T65SQDC - IGBT, 75 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 466.38 грн |
| 5+ | 457.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFGHL75T65SQDC ONSEMI
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 24ns/107.2ns, Switching Energy: 1.68mJ (on), 1.11mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 139 nC, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 375 W, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AFGHL75T65SQDC за ціною від 363.15 грн до 553.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AFGHL75T65SQDC | Виробник : onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 24ns/107.2ns Switching Energy: 1.68mJ (on), 1.11mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 139 nC Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 375 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
AFGHL75T65SQDC | Виробник : onsemi |
IGBTs IGBT with SiC copack diode IGBT - Hybrid IGBT 650 V |
на замовлення 623 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| AFGHL75T65SQDC | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 330 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
 |
AFGHL75T65SQDC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail |
товар відсутній |
|||||||||
 |
AFGHL75T65SQDC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail |
товар відсутній |