Продукція > ONSEMI > AFGHL50T65SQDC
AFGHL50T65SQDC

AFGHL50T65SQDC ONSEMI

2850016.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGHL50T65SQDC - IGBT, 100 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+502.25 грн
5+ 492.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AFGHL50T65SQDC ONSEMI

Description: IGBT FIELD STOP 650V 100A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 17.6ns/94.4ns, Switching Energy: 131µJ (on), 96µJ (off), Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 94 nC, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 238 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AFGHL50T65SQDC за ціною від 395.58 грн до 815.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AFGHL50T65SQDC AFGHL50T65SQDC Виробник : onsemi afghl50t65sqdc-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 650V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17.6ns/94.4ns
Switching Energy: 131µJ (on), 96µJ (off)
Test Condition: 400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 94 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 238 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+597.47 грн
90+ 514.77 грн
300+ 484.5 грн
750+ 426.26 грн
Мінімальне замовлення: 30
AFGHL50T65SQDC AFGHL50T65SQDC Виробник : onsemi AFGHL50T65SQDC_D-2309862.pdf IGBTs Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD
на замовлення 450 шт:
термін постачання 112-121 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+815.14 грн
10+ 689.17 грн
25+ 494.3 грн
100+ 492.21 грн
250+ 465.1 грн
450+ 436.6 грн
900+ 395.58 грн
AFGHL50T65SQDC Виробник : ON Semiconductor afghl50t65sqdc-d.pdf
на замовлення 467 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AFGHL50T65SQDC AFGHL50T65SQDC Виробник : ON Semiconductor afghl50t65sqdc-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 238000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
AFGHL50T65SQDC AFGHL50T65SQDC Виробник : ON Semiconductor afghl50t65sqdc-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 238W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
AFGHL50T65SQDC AFGHL50T65SQDC Виробник : ON Semiconductor afghl50t65sqdc-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 238W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній