Продукція > ONSEMI > AFGHL50T65SQD
AFGHL50T65SQD

AFGHL50T65SQD ONSEMI

3005707.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGHL50T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+205.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AFGHL50T65SQD ONSEMI

Description: AEC 101 QUALIFIED, 650V, 50A FIE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/81ns, Switching Energy: 950µJ (on), 460µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 102 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 268 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AFGHL50T65SQD за ціною від 169.74 грн до 385.8 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AFGHL50T65SQD AFGHL50T65SQD Виробник : onsemi AFGHL50T65SQD_D-2309742.pdf IGBTs AEC 101 Qualified, 650V, 50A Fieldstop 4 trench IGBT
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+317.95 грн
10+ 312.6 грн
25+ 231.51 грн
100+ 213.43 грн
250+ 209.96 грн
450+ 175.89 грн
900+ 175.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
AFGHL50T65SQD AFGHL50T65SQD Виробник : onsemi afghl50t65sqd-d.pdf Description: AEC 101 QUALIFIED, 650V, 50A FIE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/81ns
Switching Energy: 950µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 54767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+385.8 грн
30+ 294.43 грн
120+ 252.38 грн
510+ 210.53 грн
1020+ 180.26 грн
2010+ 169.74 грн
AFGHL50T65SQD Виробник : ON Semiconductor afghl50t65sqd-d.pdf
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AFGHL50T65SQD Виробник : ON Semiconductor afghl50t65sqd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
товар відсутній
AFGHL50T65SQD AFGHL50T65SQD Виробник : ON Semiconductor afghl50t65sqd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268W Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail
товар відсутній