AFGHL50T65SQ onsemi
Виробник: onsemiDescription: AEC 101 QUALIFIED, 650V, 50A FIE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/81ns
Switching Energy: 950µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 99 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 268 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 311.32 грн |
| 30+ | 237.11 грн |
| 120+ | 203.24 грн |
| 510+ | 169.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFGHL50T65SQ onsemi
Description: AEC 101 QUALIFIED, 650V, 50A FIE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/81ns, Switching Energy: 950µJ (on), 460µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 99 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 268 W, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AFGHL50T65SQ за ціною від 139.67 грн до 334.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AFGHL50T65SQ | Виробник : onsemi |
IGBTs AEC 101 Qualified, 650V, 50A Fieldstop 4 trench IGBT, Stand alone IGBT without co-packed diode |
на замовлення 433 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| AFGHL50T65SQ | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 268000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail |
товар відсутній |
||||||||||||||||
 |
AFGHL50T65SQ | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - AFGHL50T65SQ - IGBT, 80 A, 1.6 V, 268 mW, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 Verlustleistung: 268 Bauform - Transistor: TO-247 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Kollektorstrom: 80 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товар відсутній |