AFGHL40T65SQD onsemi
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/70ns
Switching Energy: 250µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/70ns
Switching Energy: 250µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 312.05 грн |
30+ | 238.3 грн |
120+ | 204.25 грн |
510+ | 187.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AFGHL40T65SQD onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 28 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 15ns/70ns, Switching Energy: 250µJ (on), 90µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 68 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 238 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AFGHL40T65SQD за ціною від 205.95 грн до 349.11 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AFGHL40T65SQD | Виробник : onsemi | IGBTs AEC 101 Qualified, 650V, 40A Fieldstop 4 trench IGBT |
на замовлення 7188 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||
AFGHL40T65SQD | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 340 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
AFGHL40T65SQD | Виробник : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 238000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail |
товар відсутній |
||||||||||
AFGHL40T65SQD | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - AFGHL40T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 Verlustleistung: 238 Bauform - Transistor: TO-247 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Kollektorstrom: 80 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товар відсутній |