Продукція > ONSEMI > AFGB40T65RQDN
AFGB40T65RQDN

AFGB40T65RQDN onsemi

afgb40t65rqdn-d.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 650V 68A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 52 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.82V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/77ns
Switching Energy: 470µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 51 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 339.37 W
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+246.67 грн
10+ 199.08 грн
100+ 161.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AFGB40T65RQDN onsemi

Description: IGBT FIELD STOP 650V 68A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 52 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.82V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/77ns, Switching Energy: 470µJ (on), 420µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 51 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 68 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 339.37 W.

Інші пропозиції AFGB40T65RQDN за ціною від 118.19 грн до 267.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AFGB40T65RQDN AFGB40T65RQDN Виробник : onsemi AFGB40T65RQDN_D-3150195.pdf IGBTs IGBT - 650 V 40 A - Short circuit rated FS4 - Automotive qualified
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+267.66 грн
10+ 221.46 грн
25+ 182.15 грн
100+ 155.73 грн
250+ 147.39 грн
500+ 138.35 грн
800+ 118.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
AFGB40T65RQDN Виробник : ON Semiconductor afgb40t65rqdn-d.pdf AFGB40T65RQDN
товар відсутній
AFGB40T65RQDN AFGB40T65RQDN Виробник : onsemi afgb40t65rqdn-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 650V 68A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 52 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.82V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/77ns
Switching Energy: 470µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 51 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 339.37 W
товар відсутній