A3G35H100-04SR3 NXP Semiconductors


A3G35H100-04S.pdf Виробник: NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET GAN 48V NI780
Packaging: Bulk
Package / Case: NI-780S-4L
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz
Configuration: 2 N-Channel
Power - Output: 14W
Technology: GaN
Supplier Device Package: NI-780S-4L
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 80 mA
Gain: 14dB @ 3.6GHz
на замовлення 137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+7269.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис A3G35H100-04SR3 NXP Semiconductors

Description: RF MOSFET GAN 48V NI780, Packaging: Bulk, Package / Case: NI-780S-4L, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz, Configuration: 2 N-Channel, Power - Output: 14W, Technology: GaN, Supplier Device Package: NI-780S-4L, Part Status: Active, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 80 mA, Gain: 14dB @ 3.6GHz.

Інші пропозиції A3G35H100-04SR3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
A3G35H100-04SR3 A3G35H100-04SR3 Виробник : NXP Semiconductors A3G35H100-04S-1387494.pdf RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3600 MHz, 14 W Avg., 48 V
товару немає в наявності