A2T27S020NR1 NXP Semiconductors
Виробник: NXP SemiconductorsRF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor 400-2700 MHz, 2.5 W Avg., 28 V
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 918.25 грн |
| 10+ | 797.4 грн |
| 25+ | 674.23 грн |
| 50+ | 636.61 грн |
| 100+ | 599 грн |
| 250+ | 580.55 грн |
| 500+ | 542.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A2T27S020NR1 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-270-2, Current Rating (Amps): 10µA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 400MHz ~ 2.7GHz, Power - Output: 20W, Gain: 21dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: TO-270-2, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 185 mA.
Інші пропозиції A2T27S020NR1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
A2T27S020NR1 | Виробник : NXP Semiconductors |
POWER LDMOS TRANSISTOR 400-2700 MHz, 2.5 W AVG., 28 V |
товару немає в наявності |
|
| A2T27S020NR1 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270-2 Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 400MHz ~ 2.7GHz Power - Output: 20W Gain: 21dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 185 mA |
товару немає в наявності |