A2T18S262W12NR3 NXP USA Inc.
![A2T18S262W12N.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM880X-2L2L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: OM-880X-2L2L
Current Rating (Amps): 10µA
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.805GHz ~ 1.88GHz
Power - Output: 231W
Gain: 19.3dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-880X-2L2L
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1.6 A
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A2T18S262W12NR3 NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM880X-2L2L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: OM-880X-2L2L, Current Rating (Amps): 10µA, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1.805GHz ~ 1.88GHz, Power - Output: 231W, Gain: 19.3dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: OM-880X-2L2L, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 1.6 A.
Інші пропозиції A2T18S262W12NR3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
|
A2T18S262W12NR3 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
товар відсутній |