Технічний опис A2T08VD021NT1 NXP USA Inc.
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728 960 MHz, 2 W Avg., 48 V.
Інші пропозиції A2T08VD021NT1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
A2T08VD021NT1 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
товар відсутній |