![A2G35S200-01SR3 A2G35S200-01SR3](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/faeb0baca25237d43afe6475d22179585e258cef/sot1828-1_3d.jpg)
A2G35S200-01SR3 NXP Semiconductors
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 8156.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A2G35S200-01SR3 NXP Semiconductors
Description: RF MOSFET GAN HEMT 48V NI400, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-400S-2S, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz, Power - Output: 180W, Gain: 16.1dB, Technology: GaN HEMT, Supplier Device Package: NI-400S-2S, Part Status: Active, Voltage - Rated: 125 V, Voltage - Test: 48 V, Current - Test: 291 mA.
Інші пропозиції A2G35S200-01SR3 за ціною від 8831.52 грн до 9836.03 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
A2G35S200-01SR3 | Виробник : NXP USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-400S-2S Mounting Type: Surface Mount Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz Power - Output: 180W Gain: 16.1dB Technology: GaN HEMT Supplier Device Package: NI-400S-2S Part Status: Active Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 48 V Current - Test: 291 mA |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
A2G35S200-01SR3 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
A2G35S200-01SR3 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
![]() |
A2G35S200-01SR3 | Виробник : NXP USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-400S-2S Mounting Type: Surface Mount Frequency: 3.4GHz ~ 3.6GHz Power - Output: 180W Gain: 16.1dB Technology: GaN HEMT Supplier Device Package: NI-400S-2S Part Status: Active Voltage - Rated: 125 V Voltage - Test: 48 V Current - Test: 291 mA |
товар відсутній |
|||||||||
A2G35S200-01SR3 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
товар відсутній |