на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 7529.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис A2G22S190-01SR3 NXP Semiconductors
RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 V.
Інші пропозиції A2G22S190-01SR3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
A2G22S190-01SR3 | Виробник : NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET 125V T/R |
товар відсутній |
||
A2G22S190-01SR3 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: RF MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) |
товар відсутній |
||
A2G22S190-01SR3 | Виробник : NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Airfast RF Power GaN Transistor, 1800-2200 MHz, 36 W Avg., 48 V |
товар відсутній |