на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 298.31 грн |
| 10+ | 225.45 грн |
| 25+ | 224.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 30KP43A EIC
Category: Unidirectional THT transil diodes, Description: Diode: TVS; 30kW; 48V; 415.1A; unidirectional; R6; bulk, Type of diode: TVS, Peak pulse power dissipation: 30kW, Max. off-state voltage: 43V, Breakdown voltage: 48V, Max. forward impulse current: 415.1A, Semiconductor structure: unidirectional, Case: R6, Mounting: THT, Leakage current: 1mA, Kind of package: bulk, Features of semiconductor devices: glass passivated, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції 30KP43A за ціною від 321.26 грн до 625.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
30KP43A | Виробник : EIC |
 TVS Diode Single Uni-Dir 43V 30KW 2-Pin Case D-6 |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
30KP43A | Виробник : Solid State Inc. |
Description: 30KW TVS UNIDIRECTIONAL |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
30KP43A | Виробник : EIC |
TVS Diode Single Uni-Dir 43V 30KW 2-Pin Case D-6 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
30KP43A | Виробник : CDIL |
Category: Unidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 30kW; 48V; 415.1A; unidirectional; R6; bulk Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 30kW Max. off-state voltage: 43V Breakdown voltage: 48V Max. forward impulse current: 415.1A Semiconductor structure: unidirectional Case: R6 Mounting: THT Leakage current: 1mA Kind of package: bulk Features of semiconductor devices: glass passivated кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||
|
|
30KP43A | Виробник : CDIL |
Category: Unidirectional THT transil diodes Description: Diode: TVS; 30kW; 48V; 415.1A; unidirectional; R6; bulk Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 30kW Max. off-state voltage: 43V Breakdown voltage: 48V Max. forward impulse current: 415.1A Semiconductor structure: unidirectional Case: R6 Mounting: THT Leakage current: 1mA Kind of package: bulk Features of semiconductor devices: glass passivated |
товар відсутній |