![2V7002KT1G 2V7002KT1G](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/3/19/3/53/25/314/ons_/manual/sot-23.jpg)
2V7002KT1G ON Semiconductor
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2V7002KT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 300mW (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції 2V7002KT1G за ціною від 1.99 грн до 25.17 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2V7002KT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2V7002KT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2V7002KT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2V7002KT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.19ohm |
на замовлення 135428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2V7002KT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2V7002KT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2V7002KT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 17596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2V7002KT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 70592 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2V7002KT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 420mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.19ohm |
на замовлення 135428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2V7002KT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
2V7002KT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.35W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |