Продукція > TOSHIBA > 2SK880-GR(TE85L,F)
2SK880-GR(TE85L,F)

2SK880-GR(TE85L,F) TOSHIBA

Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SK880-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA
Durchbruchspannung Vbr: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+26.96 грн
500+ 19.69 грн
1000+ 12.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK880-GR(TE85L,F) TOSHIBA

Description: TOSHIBA - 2SK880-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA, Durchbruchspannung Vbr: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-323, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: MOSFET, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції 2SK880-GR(TE85L,F) за ціною від 12.75 грн до 55.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SK880-GR(TE85L,F) 2SK880-GR(TE85L,F) Виробник : TOSHIBA Description: TOSHIBA - 2SK880-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: MOSFET
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+48.56 грн
20+ 40.08 грн
100+ 26.96 грн
500+ 19.69 грн
1000+ 12.75 грн
Мінімальне замовлення: 17
2SK880-GR(TE85L,F) 2SK880-GR(TE85L,F) Виробник : Toshiba 2012docget.jsptypedatasheetlangenpid2sk880.jsptypedatasheetlangenpid2.pdf Trans JFET N-CH 6.5mA Si 3-Pin USM T/R
на замовлення 34229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
222+55.14 грн
455+ 26.91 грн
498+ 24.57 грн
500+ 23.59 грн
613+ 17.84 грн
1000+ 15.99 грн
2000+ 15.9 грн
3000+ 15.03 грн
6000+ 14.15 грн
Мінімальне замовлення: 222
2SK880-GR(TE85L,F) 2SK880-GR(TE85L,F) Виробник : Toshiba 2012docget.jsptypedatasheetlangenpid2sk880.jsptypedatasheetlangenpid2.pdf Trans JFET N-CH 6.5mA Si 3-Pin USM T/R
товар відсутній