Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > 2SK879-GR(TE85L,F)
2SK879-GR(TE85L,F)

2SK879-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

2SK879_datasheet_en_20140301.pdf?did=19697&prodName=2SK879 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: JFET N-CH USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Supplier Device Package: USM
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.4 грн
6000+ 8.59 грн
9000+ 7.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK879-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TOSHIBA - 2SK879-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 6.5 mA, 5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SK879-GR(TE85L,F) за ціною від 8.08 грн до 39.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SK879-GR(TE85L,F) 2SK879-GR(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage 2SK879_datasheet_en_20140301.pdf?did=19697&prodName=2SK879 Description: JFET N-CH USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Supplier Device Package: USM
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V
на замовлення 10700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.37 грн
13+ 22.99 грн
100+ 15.95 грн
500+ 11.69 грн
1000+ 9.5 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SK879-GR(TE85L,F) 2SK879-GR(TE85L,F) Виробник : Toshiba 2SK879_datasheet_en_20140301-2907612.pdf JFET Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA
на замовлення 7028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+29.77 грн
13+ 25.87 грн
100+ 16.8 грн
500+ 13.21 грн
1000+ 10.19 грн
3000+ 9.28 грн
9000+ 8.08 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SK879-GR(TE85L,F) Виробник : TOSHIBA 4249064.pdf Description: TOSHIBA - 2SK879-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 6.5 mA, 5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+39.42 грн
24+ 33.12 грн
100+ 26.02 грн
500+ 17.57 грн
1000+ 9.66 грн
Мінімальне замовлення: 20
2SK879-GR(TE85L,F) 2SK879-GR(TE85L,F) Виробник : Toshiba 24docget.jsppid2sk879langentypedatasheet.jsppid2sk879langentypedata.pdf Trans JFET N-CH 6.5mA Si 3-Pin USM T/R
товар відсутній