![2SK879-GR(TE85L,F) 2SK879-GR(TE85L,F)](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2610/SC-70, SOT-323 PKG.jpg)
2SK879-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
![2SK879_datasheet_en_20140301.pdf?did=19697&prodName=2SK879](/images/adobe-acrobat.png)
Description: JFET N-CH USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V
Supplier Device Package: USM
Part Status: Active
Power - Max: 100 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 9.4 грн |
6000+ | 8.59 грн |
9000+ | 7.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK879-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOSHIBA - 2SK879-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 6.5 mA, 5 V, SOT-323, 3 Pins, 125 °C, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції 2SK879-GR(TE85L,F) за ціною від 8.08 грн до 39.42 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2SK879-GR(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.2pF @ 10V Supplier Device Package: USM Part Status: Active Power - Max: 100 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 400 mV @ 100 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6 mA @ 10 V |
на замовлення 10700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SK879-GR(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
![]() |
на замовлення 7028 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
2SK879-GR(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 6.5mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 5V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
2SK879-GR(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
![]() |
товар відсутній |