![2SK536-TB-E 2SK536-TB-E](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4338/MFG_DCC010-TB-E.jpg)
2SK536-TB-E Sanyo
![ONSMS35404-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Description: N-CHANNEL ENHANCEMENT MOS SILICO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Supplier Device Package: 3-CP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V
на замовлення 3625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1412+ | 14.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK536-TB-E Sanyo
Description: MOSFET N-CH 50V 100MA SC59, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 125°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 10V, Power Dissipation (Max): 200mW (Ta), Supplier Device Package: 3-CP, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V.
Інші пропозиції 2SK536-TB-E
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
2SK536-TB-E | Виробник : ?? |
![]() |
на замовлення 2890 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
2SK536-TB-E | Виробник : SANYO |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
2SK536-TB-E | Виробник : SANYO |
![]() |
на замовлення 11576 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
2SK536-TB-E | Виробник : SANYO |
![]() |
на замовлення 489 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
2SK536-TB-E | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4890 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
![]() |
2SK536-TB-E | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
2SK536-TB-E | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Supplier Device Package: 3-CP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 10 V |
товар відсутній |