Продукція > ONSEMI > 2SK4210
2SK4210

2SK4210 onsemi

2SK4210.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 900V 10A TO3PB
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 190W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3PB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
61+343.82 грн
Мінімальне замовлення: 61
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK4210 onsemi

Description: MOSFET N-CH 900V 10A TO3PB, Packaging: Tray, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 190W (Tc), Supplier Device Package: TO-3PB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V.

Інші пропозиції 2SK4210 за ціною від 343.82 грн до 496.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SK4210 2SK4210 Виробник : onsemi 2SK4210.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 10A TO3PB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 190W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3PB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
75+343.82 грн
Мінімальне замовлення: 75
2SK4210 Виробник : ONSEMI SSCLS00611-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SK4210 - 2SK4210, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
74+496.44 грн
Мінімальне замовлення: 74
2SK4210 Виробник : ON Semiconductor ena1517.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3PB Tray
товар відсутній
2SK4210 2SK4210 Виробник : onsemi 2SK4210.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 10A TO3PB
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 190W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3PB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 30 V
товар відсутній
2SK4210 2SK4210 Виробник : onsemi 2SK4210.pdf MOSFET POWER MOSFET
товар відсутній