на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 127.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK3799(Q,M) Toshiba
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; 50W; TO220FP, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 900V, Drain current: 8A, Power dissipation: 50W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1Ω, Mounting: THT, Gate charge: 60nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції 2SK3799(Q,M)
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
2SK3799(Q,M) | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
2SK3799(Q,M) | Виробник : Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 900V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS |
товар відсутній |
||
2SK3799(Q,M) | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; 50W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 8A Power dissipation: 50W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
2SK3799(Q,M) | Виробник : Toshiba | MOSFET MOSFET N-Ch, 900V, 8A, Rdson 1.3 Ohm |
товар відсутній |
||
2SK3799 (Q,M) | Виробник : Toshiba | MOSFET |
товар відсутній |
||
2SK3799(Q,M) | Виробник : TOSHIBA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; 50W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 8A Power dissipation: 50W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |