![2SK3557-6-TB-E 2SK3557-6-TB-E](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/f5e90a46fe08ba523a89fefcf0974bd92f63c38a/sot95p285x140-3l20_dds_n.step.jpg)
2SK3557-6-TB-E ON Semiconductor
на замовлення 5681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1183+ | 10.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK3557-6-TB-E ON Semiconductor
Description: JFET N-CH 5V 3CP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Current Rating (Amps): 50mA, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Output: 200mW, Technology: JFET, FET Type: N-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V, Noise Figure: 1dB, Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V, Current Drain (Id) - Max: 50 mA, Supplier Device Package: 3-CP, Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V, Voltage - Rated: 15 V, Power - Max: 200 mW, Voltage - Test: 5 V, Current - Test: 1 mA, Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA, Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V.
Інші пропозиції 2SK3557-6-TB-E за ціною від 8.12 грн до 36.73 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2SK3557-6-TB-E | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Current Rating (Amps): 50mA Mounting Type: Surface Mount Configuration: N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Output: 200mW Technology: JFET FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V Noise Figure: 1dB Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V Current Drain (Id) - Max: 50 mA Supplier Device Package: 3-CP Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V Voltage - Rated: 15 V Power - Max: 200 mW Voltage - Test: 5 V Current - Test: 1 mA Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2SK3557-6-TB-E | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2SK3557-6-TB-E | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2SK3557-6-TB-E | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2SK3557-6-TB-E | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Current Rating (Amps): 50mA Mounting Type: Surface Mount Configuration: N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Output: 200mW Technology: JFET FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 5V Noise Figure: 1dB Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 15 V Current Drain (Id) - Max: 50 mA Supplier Device Package: 3-CP Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V Voltage - Rated: 15 V Power - Max: 200 mW Voltage - Test: 5 V Current - Test: 1 mA Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V |
на замовлення 29844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2SK3557-6-TB-E | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 47198 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
2SK3557-6-TB-E | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA MSL: - usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 10mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -15V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.5V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
2SK3557-6-TB-E | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2324 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
![]() |
2SK3557-6-TB-E | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
2SK3557-6-TB-E | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |