2SK2864-TL-E ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK2864-TL-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 20 A, 0.09 ohm, ZP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: ZP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 112+ | 233.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK2864-TL-E ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK2864-TL-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 20 A, 0.09 ohm, ZP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: ZP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції 2SK2864-TL-E за ціною від 227.58 грн до 227.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SK2864-TL-E | Виробник : onsemi |
Description: NCH 10V DRIVE SERIES Packaging: Bulk |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|