2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: JFET N-CH 50V 14MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V
Current Drain (Id) - Max: 14 mA
Supplier Device Package: SC-59
Part Status: Active
Power - Max: 150 mW
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.05 грн |
| 6000+ | 9.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK209-GR(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOSHIBA - 2SK209-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA, Durchbruchspannung Vbr: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-236, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V, Produktpalette: Fuse Kits, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: MOSFET, Betriebstemperatur, max.: 125°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції 2SK209-GR(TE85L,F) за ціною від 6.74 грн до 60.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SK209-GR(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 65074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SK209-GR(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK209-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA Durchbruchspannung Vbr: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-236 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: Fuse Kits productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: MOSFET Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V SVHC: To Be Advised |
на замовлення 5880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SK209-GR(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SK209-GR(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: JFET N-CH 50V 14MA SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 50 V Current Drain (Id) - Max: 14 mA Supplier Device Package: SC-59 Part Status: Active Power - Max: 150 mW Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 1.5 V @ 100 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 14 mA @ 10 V |
на замовлення 8960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SK209-GR(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
JFET N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS |
на замовлення 83118 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SK209-GR(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 1641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SK209-GR(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SK209-GR(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SK209-GR(TE85L,F) - JFET-Transistor, 50 V, 14 mA, 1.5 V, TO-236, 3 Pins, 125 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 14mA usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 1.2mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 50V Produktpalette: Fuse Kits productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: MOSFET Betriebstemperatur, max.: 125°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 1.5V SVHC: To Be Advised |
на замовлення 5880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
2SK209-GR(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 6.5mA; 0.15W; SC59; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 6.5mA Power dissipation: 0.15W Case: SC59 Gate-source voltage: -50V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA |
на замовлення 2315 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SK209-GR(TE85L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 6.5mA; 0.15W; SC59; Igt: 10mA Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Drain current: 6.5mA Power dissipation: 0.15W Case: SC59 Gate-source voltage: -50V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate current: 10mA кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2315 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 2SK209-GR(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Transistor N-Channel JFET; 50V; 14mA; 150mW; -55°C ~ 125°C; 2SK209-GR(TE85L,F) 2SK209-GR T2SK209 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
2SK209-GR(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans JFET N-CH Si 3-Pin S-Mini T/R |
товар відсутній |