2SK1888 ONSEMI


SNYOS16942-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK1888 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
321+93.59 грн
Мінімальне замовлення: 321
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SK1888 ONSEMI

Description: 30A, 30V, 0.035ohm, N-Channel MO, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220ML, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V.

Інші пропозиції 2SK1888

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SK1888 Виробник : SANYO
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK1888 Виробник : SANYO 07+
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SK1888 2SK1888 Виробник : Sanyo Description: 30A, 30V, 0.035ohm, N-Channel MO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220ML
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
товар відсутній