2SK1888 ONSEMI
![SNYOS16942-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ONSEMI - 2SK1888 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
321+ | 93.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK1888 ONSEMI
Description: 30A, 30V, 0.035ohm, N-Channel MO, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220ML, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V.
Інші пропозиції 2SK1888
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
2SK1888 | Виробник : SANYO |
на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
2SK1888 | Виробник : SANYO | 07+ |
на замовлення 6500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
2SK1888 | Виробник : Sanyo |
Description: 30A, 30V, 0.035ohm, N-Channel MO Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220ML Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V |
товар відсутній |