2SK1317-E RENESAS
Виробник: RENESAS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 100W; TO3P
Mounting: THT
Case: TO3P
Kind of package: tube
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
On-state resistance: 9Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 100W; TO3P
Mounting: THT
Case: TO3P
Kind of package: tube
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
On-state resistance: 9Ω
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 450 грн |
3+ | 334.13 грн |
8+ | 316.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SK1317-E RENESAS
Description: RENESAS - 2SK1317-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції 2SK1317-E за ціною від 236.21 грн до 554.64 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SK1317-E | Виробник : Renesas Electronics | MOSFETs MOSFET - Pb Free |
на замовлення 88342 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
2SK1317-E | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
Description: MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 2A, 15V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V |
на замовлення 4739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
2SK1317-E | Виробник : RENESAS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 100W; TO3P Mounting: THT Case: TO3P Kind of package: tube Power dissipation: 100W Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 2.5A On-state resistance: 9Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 68 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
2SK1317-E | Виробник : RENESAS |
Description: RENESAS - 2SK1317-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
на замовлення 514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
2SK1317-E | Виробник : Renesas |
2SK1317 HIT2SK1317 кількість в упаковці: 360 шт |
товар відсутній |