Продукція > TOSHIBA > 2SJ168(TE85L,F)
2SJ168(TE85L,F)

2SJ168(TE85L,F) TOSHIBA


2SJ168.pdf Виробник: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.2A; 200mW; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1954 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.8 грн
11+ 35.95 грн
25+ 31.79 грн
30+ 29.42 грн
81+ 27.78 грн
500+ 26.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SJ168(TE85L,F) TOSHIBA

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.2A; 200mW; SC59, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -0.2A, Power dissipation: 0.2W, Case: SC59, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2Ω, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції 2SJ168(TE85L,F) за ціною від 32.18 грн до 63.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SJ168(TE85L,F) 2SJ168(TE85L,F) Виробник : TOSHIBA 2SJ168.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.2A; 200mW; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.36 грн
7+ 44.8 грн
25+ 38.15 грн
30+ 35.3 грн
81+ 33.34 грн
500+ 32.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
2SJ168(TE85L,F) 2SJ168(TE85L,F) Виробник : Toshiba 7702sj168_en_datasheet_071101.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.2A 3-Pin S-Mini T/R
товар відсутній