![2SD863E-AE 2SD863E-AE](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3TO92-40.jpg)
2SD863E-AE ONSEMI
![SNYOS08303-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ONSEMI - 2SD863E-AE - 2SD863E - BIPOLAR NPN TRANSISTOR, 1A 50V
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2671+ | 9.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD863E-AE ONSEMI
Description: BIP NPN 1A 50V, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: 3-MP, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 900 mW.
Інші пропозиції 2SD863E-AE за ціною від 9.88 грн до 9.88 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2SD863E-AE | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-MP Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 900 mW |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|