2SD400E-MP-AE ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD400E-MP-AE - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2290+ | 11.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SD400E-MP-AE ONSEMI
Description: 2SD400E - NPN EPITAXIAL PLANAR S, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 2V, Supplier Device Package: TP, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V, Power - Max: 900 mW.
Інші пропозиції 2SD400E-MP-AE за ціною від 11.14 грн до 11.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SD400E-MP-AE | Виробник : Sanyo |
Description: 2SD400E - NPN EPITAXIAL PLANAR S Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 2V Supplier Device Package: TP Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 900 mW |
на замовлення 2630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| 2SD400E-MP-AE | Виробник : onsemi |
Description: NPN SILICON TRANSISTOR Packaging: Bulk |
на замовлення 19000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|