Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SD2656T106
2SD2656T106

2SD2656T106 Rohm Semiconductor

2sd2656t106-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 5640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2341+5.15 грн
2420+ 4.98 грн
2455+ 4.91 грн
2496+ 4.66 грн
3000+ 4.3 грн
Мінімальне замовлення: 2341
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD2656T106 Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN 30V 1A UMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 400MHz, Supplier Device Package: UMT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 200 mW.

Інші пропозиції 2SD2656T106 за ціною від 6.61 грн до 31.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SD2656T106 2SD2656T106 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SD2656&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2SD2656T106 2SD2656T106 Виробник : ROHM 2703303.pdf Description: ROHM - 2SD2656T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30
Verlustleistung: 200
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 270
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+15.38 грн
500+ 10.76 грн
1000+ 7.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SD2656T106 2SD2656T106 Виробник : Rohm Semiconductor 2sd2656t106-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
515+23.42 грн
534+ 22.58 грн
Мінімальне замовлення: 515
2SD2656T106 2SD2656T106 Виробник : Rohm Semiconductor 2sd2656t106-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
515+23.42 грн
534+ 22.58 грн
1000+ 21.85 грн
2500+ 20.44 грн
Мінімальне замовлення: 515
2SD2656T106 2SD2656T106 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SD2656&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.37 грн
14+ 21.6 грн
100+ 14.72 грн
500+ 10.36 грн
1000+ 7.77 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SD2656T106 2SD2656T106 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=2SD2656&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 1A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+28.54 грн
14+ 23.12 грн
100+ 13.71 грн
500+ 10.33 грн
1000+ 7.73 грн
3000+ 6.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
2SD2656T106 2SD2656T106 Виробник : ROHM 2703303.pdf Description: ROHM - 2SD2656T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 270
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Übergangsfrequenz ft: 400
Bauform - Transistor: SOT-323
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 1
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+31.46 грн
32+ 25.39 грн
100+ 15.38 грн
500+ 10.76 грн
1000+ 7.43 грн
Мінімальне замовлення: 26
2SD2656T106 2SD2656T106 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=2SD2656&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 1A; 200mW; SC70,SOT323
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 270...680
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
2SD2656T106 2SD2656T106 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=2SD2656&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 1A; 200mW; SC70,SOT323
Mounting: SMD
Case: SC70; SOT323
Power dissipation: 0.2W
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 270...680
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
товар відсутній