2SD1963T100R ROHM Semiconductor


rohm semiconductor_rohms11109-1.pdf Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 20V 3A
на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+49.93 грн
10+ 43.1 грн
100+ 25.54 грн
500+ 21.36 грн
1000+ 18.49 грн
2000+ 16.83 грн
5000+ 15.54 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD1963T100R ROHM Semiconductor

Description: TRANS NPN 20V 3A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 150mA, 1.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: MPT3, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 2 W.

Інші пропозиції 2SD1963T100R

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SD1963 T100R Виробник : ROHM SOT89
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1963 T100R Виробник : ROHM SOT89
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1963T100R Виробник : ROHM 2SD1963.pdf SOT89
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1963T100R 2SD1963T100R Виробник : Rohm Semiconductor 2SD1963.pdf Description: TRANS NPN 20V 3A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: MPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній