2SD1898T100P

2SD1898T100P Rohm Semiconductor


2sd1898t100r-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.86 грн
10+ 37.41 грн
100+ 25.91 грн
500+ 20.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD1898T100P Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN 80V 1A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 3V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 2 W.

Інші пропозиції 2SD1898T100P за ціною від 14.48 грн до 48.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SD1898T100P Виробник : ROHM Semiconductor rohms14026_1-2281282.pdf Bipolar Transistors - BJT DVR NPN 80V 1A
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+48.05 грн
10+ 41.87 грн
100+ 24.81 грн
500+ 20.8 грн
1000+ 17.01 грн
2000+ 15.46 грн
5000+ 14.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SD1898T100P 2SD1898T100P Виробник : Rohm Semiconductor 2sd1898t100r-e.pdf Description: TRANS NPN 80V 1A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній