Продукція > ONSEMI > 2SD1816S-TL-E
2SD1816S-TL-E

2SD1816S-TL-E onsemi


2sb1216_2sd1816-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 4A TPFA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
700+50.78 грн
Мінімальне замовлення: 700
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD1816S-TL-E onsemi

Description: TRANS NPN 100V 4A TPFA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: TP-FA, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції 2SD1816S-TL-E за ціною від 34.55 грн до 102.2 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SD1816S-TL-E 2SD1816S-TL-E Виробник : onsemi 2sb1216_2sd1816-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 4A TPFA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+94.76 грн
10+ 74.16 грн
100+ 57.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
2SD1816S-TL-E Виробник : ONSEMI 2sb1216_2sd1816-d.pdf Category: Transistors - Unclassified
Description: 2SD1816S-TL-E
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
66+45.16 грн
650+ 36.64 грн
Мінімальне замовлення: 66
2SD1816S-TL-E Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0001812173-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SD1816S-TL-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 611600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
700+53.03 грн
Мінімальне замовлення: 700
2SD1816S-TL-E Виробник : ONSEMI 2sb1216_2sd1816-d.pdf Category: Transistors - Unclassified
Description: 2SD1816S-TL-E
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
66+54.19 грн
650+ 45.66 грн
Мінімальне замовлення: 66
2SD1816S-TL-E Виробник : onsemi 2SB1216_2SD1816_D-2309768.pdf Bipolar Transistors - BJT HF LOW-NOISE AMPLIFIER
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+102.2 грн
10+ 82.35 грн
100+ 55.76 грн
700+ 47.27 грн
1400+ 38.45 грн
2100+ 36.22 грн
4900+ 34.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
2SD1816S-TL-E 2SD1816S-TL-E Виробник : ON Semiconductor 2sb1216_2sd1816-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
2SD1816S-TL-E 2SD1816S-TL-E Виробник : ON Semiconductor 11710336676814342sb1216_2sd1816-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній