Продукція > ONSEMI > 2SD1802S-E
2SD1802S-E

2SD1802S-E ONSEMI


ONSM-S-A0013339296-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SD1802S-E - TRANSISTOR, NPN, 50V, 3A, TO-251
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 102770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD1802S-E ONSEMI

Description: TRANS NPN 50V 3A TP, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: TP, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 1 W.

Інші пропозиції 2SD1802S-E за ціною від 19.94 грн до 44.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SD1802S-E 2SD1802S-E Виробник : onsemi 2sb1202-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.37 грн
10+ 36.72 грн
100+ 25.43 грн
500+ 19.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SD1802S-E 2SD1802S-E Виробник : ON Semiconductor 2SB1202_D-2310068.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 50V
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2SD1802S-E 2SD1802S-E Виробник : ON Semiconductor 2sb1202-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
товар відсутній
2SD1802S-E 2SD1802S-E Виробник : ON Semiconductor 2sb1202-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
товар відсутній