2SD1782HE3-R-TP

2SD1782HE3-R-TP Micro Commercial Co


2SD1782HE3(SOT-23).pdf Виробник: Micro Commercial Co
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.65 грн
15+ 19.46 грн
100+ 9.81 грн
500+ 8.16 грн
1000+ 6.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD1782HE3-R-TP Micro Commercial Co

Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: SOT-23, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 200 mW, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції 2SD1782HE3-R-TP

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SD1782HE3-R-TP 2SD1782HE3-R-TP Виробник : Micro Commercial Components 2sd1782he3sot-23.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
2SD1782HE3-R-TP 2SD1782HE3-R-TP Виробник : Micro Commercial Co 2SD1782HE3(SOT-23).pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
2SD1782HE3-R-TP 2SD1782HE3-R-TP Виробник : Micro Commercial Components (MCC) 2SD1782HE3_SOT_23_-3365695.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Plastic-Encapsulate Transistors
товар відсутній