2SD1758TLR

2SD1758TLR ROHM Semiconductor


rohms26118_1-2281259.pdf Виробник: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 32V 2A
на замовлення 1382 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.67 грн
10+ 70.56 грн
100+ 53.84 грн
500+ 45.05 грн
1000+ 39.43 грн
2500+ 22.28 грн
5000+ 21.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD1758TLR ROHM Semiconductor

Description: TRANS NPN 32V 2A CPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: CPT3, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 10 W.

Інші пропозиції 2SD1758TLR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SD1758 TL R Виробник : ROHM
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1758TLR Виробник : ROHM 2SD1758%2C1862_RevC.pdf SOT252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1758TLR 2SD1758TLR Виробник : Rohm Semiconductor 2SD1758%2C1862_RevC.pdf Description: TRANS NPN 32V 2A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: CPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 10 W
товар відсутній
2SD1758TLR 2SD1758TLR Виробник : Rohm Semiconductor 2SD1758%2C1862_RevC.pdf Description: TRANS NPN 32V 2A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: CPT3
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Power - Max: 10 W
товар відсутній