Технічний опис 2SD1664T100R ROH
Description: TRANS NPN 32V 1A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V, Power - Max: 2 W.
Інші пропозиції 2SD1664T100R
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
2SD1664T100R | Виробник : ROHM |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
2SD1664 T100R | Виробник : ROHM | 09+ |
на замовлення 38018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
2SD1664T100R | Виробник : ROHM |
![]() |
на замовлення 158222 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
2SD1664 T100R | Виробник : ROHM | SOT89 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
2SD1664 T100R | Виробник : ROHM | SOT89 |
на замовлення 763 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
2SD1664T100R | Виробник : ROHM |
![]() |
на замовлення 2930 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
2SD1664T100R | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 2 W |
товар відсутній |
|
![]() |
2SD1664T100R | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 2 W |
товар відсутній |
|
2SD1664T100R | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |