Продукція > ONSEMI > 2SD1624S-TD-E
2SD1624S-TD-E

2SD1624S-TD-E onsemi


en2019-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V 3A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+18.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SD1624S-TD-E onsemi

Description: ONSEMI - 2SD1624S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SD1624S-TD-E за ціною від 14.15 грн до 42.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SD1624S-TD-E 2SD1624S-TD-E Виробник : ONSEMI ONSMS36739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1624S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SD1624S-TD-E 2SD1624S-TD-E Виробник : onsemi EN2019_D-2310777.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 50V
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+38.54 грн
10+ 32.78 грн
100+ 21.12 грн
500+ 18.54 грн
1000+ 16.1 грн
2000+ 15.26 грн
5000+ 14.15 грн
Мінімальне замовлення: 9
2SD1624S-TD-E 2SD1624S-TD-E Виробник : ONSEMI ONSMS36739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SD1624S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 3 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+42.69 грн
23+ 35.02 грн
100+ 23.77 грн
Мінімальне замовлення: 19
2SD1624S-TD-E 2SD1624S-TD-E Виробник : onsemi en2019-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 3A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.97 грн
10+ 35.57 грн
100+ 24.6 грн
500+ 19.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SD1624S-TD-E Виробник : ON Semiconductor en2019-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
33+18.24 грн
100+ 17.42 грн
250+ 16 грн
500+ 15.21 грн
1000+ 14.85 грн
Мінімальне замовлення: 33
2SD1624S-TD-E Виробник : ON Semiconductor en2019-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
616+19.65 грн
622+ 19.45 грн
627+ 19.3 грн
633+ 18.43 грн
1000+ 16.66 грн
Мінімальне замовлення: 616
2SD1624S-TD-E Виробник : ON Semiconductor en2019-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SD1624S-TD-E Виробник : ON Semiconductor en2019-d.pdf
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1624S-TD-E Виробник : SANYO en2019-d.pdf SOT89
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2SD1624S-TD-E Виробник : ON Semiconductor en2019-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SD1624S-TD-E Виробник : ON Semiconductor 1745en2019-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
2SD1624S-TD-E Виробник : ON Semiconductor en2019-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 3A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній