2SCR553PT100 Rohm Semiconductor
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1256+ | 9.6 грн |
| 1315+ | 9.17 грн |
| 1336+ | 9.02 грн |
| 2000+ | 8.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SCR553PT100 Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 50V 2A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V, Frequency - Transition: 360MHz, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 2 W.
Інші пропозиції 2SCR553PT100 за ціною від 15.86 грн до 44.1 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SCR553PT100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 50V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
2SCR553PT100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 50V 2A MPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 83 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
2SCR553PT100 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 50V 2A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 2 W |
товар відсутній |
|||||||||
 |
2SCR553PT100 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN 50V 2A Transistor |
товар відсутній |