Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > 2SCR552PHZGT100
2SCR552PHZGT100

2SCR552PHZGT100 Rohm Semiconductor

2scr552phzgt100-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
905+13.32 грн
912+ 13.22 грн
949+ 12.7 грн
Мінімальне замовлення: 905
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR552PHZGT100 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR552PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, NPN, 30V, 3A, SOT-89, AEC-Q101, 200hFE, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 3A, Übergangsfrequenz: 280MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції 2SCR552PHZGT100 за ціною від 18.27 грн до 54.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SCR552PHZGT100 2SCR552PHZGT100 Виробник : ROHM datasheet?p=2SCR552PHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SCR552PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, NPN, 30V, 3A, SOT-89, AEC-Q101, 200hFE
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+27.52 грн
500+ 21.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SCR552PHZGT100 2SCR552PHZGT100 Виробник : Rohm Semiconductor 2scr552phzgt100-e.pdf Trans GP BJT NPN 30V 3A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
321+37.66 грн
334+ 36.15 грн
500+ 34.84 грн
1000+ 32.51 грн
Мінімальне замовлення: 321
2SCR552PHZGT100 2SCR552PHZGT100 Виробник : ROHM datasheet?p=2SCR552PHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SCR552PHZGT100 - Transistor, Bipolartransistor, NPN, 30V, 3A, SOT-89, AEC-Q101, 200hFE
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+48.33 грн
20+ 40.13 грн
100+ 27.52 грн
500+ 21.38 грн
Мінімальне замовлення: 17
2SCR552PHZGT100 2SCR552PHZGT100 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR552PHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 3A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+50.18 грн
10+ 42.1 грн
100+ 29.13 грн
500+ 22.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SCR552PHZGT100 2SCR552PHZGT100 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR552PHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN Middle Power Transistor (30V 3A). 2SCR552PHZG is Low VCE(sat) and high speed switching transistor for Low Frequency Amplifier. It is a highly reliable product for automotive.
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.94 грн
10+ 46.8 грн
100+ 30.64 грн
500+ 25.65 грн
1000+ 21.16 грн
2000+ 18.77 грн
5000+ 18.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
2SCR552PHZGT100 2SCR552PHZGT100 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR552PHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 30V 3A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 280MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній