2SCR514PHZGT100

2SCR514PHZGT100 Rohm Semiconductor


datasheet?p=2SCR514PHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 0.7A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+16.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SCR514PHZGT100 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SCR514PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 700mA, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 700mA, Übergangsfrequenz: 320MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції 2SCR514PHZGT100 за ціною від 12.09 грн до 47.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
2SCR514PHZGT100 2SCR514PHZGT100 Виробник : ROHM 2scr514phzgt100-e.pdf Description: ROHM - 2SCR514PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 700mA
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+24.52 грн
500+ 17.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
2SCR514PHZGT100 2SCR514PHZGT100 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SCR514PHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN 80V 0.7A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 500 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.34 грн
10+ 36.02 грн
100+ 25.03 грн
500+ 18.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
2SCR514PHZGT100 2SCR514PHZGT100 Виробник : ROHM 2scr514phzgt100-e.pdf Description: ROHM - 2SCR514PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 320MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+46.91 грн
21+ 38.95 грн
100+ 24.52 грн
500+ 17.79 грн
Мінімальне замовлення: 17
2SCR514PHZGT100 2SCR514PHZGT100 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=2SCR514PHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-89, 80V 0.7A, Medium Power Transistor for Automotive
на замовлення 1636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.31 грн
10+ 40.09 грн
100+ 24.25 грн
500+ 18.98 грн
1000+ 15.39 грн
2000+ 13 грн
10000+ 12.09 грн
Мінімальне замовлення: 7
2SCR514PHZGT100 2SCR514PHZGT100 Виробник : Rohm Semiconductor 2scr514phzgt100-e.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SCR514PHZGT100 2SCR514PHZGT100 Виробник : Rohm Semiconductor 2scr514phzgt100-e.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SCR514PHZGT100 2SCR514PHZGT100 Виробник : Rohm Semiconductor 2scr514phzgt100-e.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.7A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)