![2SCR346PT100P 2SCR346PT100P](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3SOT89-40.jpg)
2SCR346PT100P ROHM
![2scr346pt100p-e.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ROHM - 2SCR346PT100P - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 100 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 26.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SCR346PT100P ROHM
Description: ROHM - 2SCR346PT100P - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 100 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції 2SCR346PT100P за ціною від 13.85 грн до 43.05 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2SCR346PT100P | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SCR346PT100P | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SCR346PT100P | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SCR346PT100P | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SCR346PT100P | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
2SCR346PT100P | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
2SCR346PT100P | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
2SCR346PT100P | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.1A; 500mW; SC62,SOT89 Mounting: SMD Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.5W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: SC62; SOT89 Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 82...180 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
2SCR346PT100P | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 500 mW |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
2SCR346PT100P | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 500 mW |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
2SCR346PT100P | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.1A; 500mW; SC62,SOT89 Mounting: SMD Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.5W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Case: SC62; SOT89 Collector-emitter voltage: 400V Current gain: 82...180 |
товар відсутній |