2SC6017-TL-E ON Semiconductor
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 38.46 грн |
| 17+ | 36 грн |
| 25+ | 35.85 грн |
| 50+ | 34.41 грн |
| 100+ | 31.71 грн |
| 250+ | 30.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SC6017-TL-E ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2SC6017-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 10 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 10A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Інші пропозиції 2SC6017-TL-E за ціною від 40.05 грн до 74.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SC6017-TL-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC6017-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 10 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
2SC6017-TL-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 10A TPFA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 950 mW |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
2SC6017-TL-E | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC6017-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 10 A, 20 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
2SC6017-TL-E | Виробник : onsemi |
 Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 10A 50V |
на замовлення 1040 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
2SC6017-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 10A 950mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
| 2SC6017-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 470 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
2SC6017-TL-E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 10A 950mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
2SC6017-TL-E | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 50V 10A TPFA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 950 mW |
товар відсутній |